Persamaan 1.19 dapat
ditumpangkan pada karakteristik output sebagai garis lurus dari -1/RC lereng
yang memotong sumbu IC pada VCC / RC (titik A) dan sumbu VCE di VCC (titik B).
Baris ini disebut garis beban yang diberikan VCC dan RC, menggambarkan semua mungkin
operasi kondisi sirkuit.
Mari kita melakukan perjalanan
sepanjang garis ini dan amati kondisi yang berlaku. mulai dari titik B, dimana
IC = 0 dan VCE = VCC, BJT dikatakan cut-off atau di OFF negara. Hal ini dicapai
dengan terbuka hubungan arus terminal basis (IB = 0) atau dengan membuat VBE =
0 V (untuk transistor n-p-n).
Jika IB (atau VBE) dinaikkan
sedikit di atas nol, BJT mulai melakukan (IC> 0) dan memasuki daerah aktif
normal dengan sambungan emitor-basis bias maju dan kebalikan junction kolektor-base
bias. Progresif peningkatan IB (atau VBE) meningkatkan arus kolektor dengan
penurunan ICRC sesuai pada VCE (Persamaan 1,18) dan titik operasi bergerak
sepanjang garis beban terhadap titik A.
Sebagai tegangan kolektor
jatuh, bias reverse pada persimpangan kolektor-basis mengurangi bias yang
mencapai nol ketika tegangan kolektor dan basis adalah sama. Kami adalah
sekarang di batas lain dari daerah aktif dan akan memasuki daerah saturasi yang
didefinisikan sebagai sambungan kolektor-basis yang bias maju. Itu hubungan
linier antara sekitar IC dan IB tidak lagi berlaku di daerah ini dan
kelengkungan karakteristik keluaran IC untuk membatasi maksimal
mana VCE (sat) telah
dijelaskan sebelumnya. BJT ini sekarang dikatakan sepenuhnya jenuh atau ON. BJT
peringkat Secara umum dengan semua komponen elektronik, arus tegangan dan
tingkat daya dalam BJT tidak boleh melebihi jika perangkat ini untuk
dioperasikan andal. produsen' peringkat tertentu termasuk kolektor maksimum dan
tingkat arus basis, minimal gangguan tegangan (BVCB dan BVBE) dari
basis-kolektor dan emitor-basis persimpangan serta batas yang sesuai pada
kolektor-emitor BVCE tegangan. Untuk silikon BJTs, | BVBE | biasanya dijamin
tidak kurang dari 6 V sementara | BVCB | bias berkisar dari 10 V untuk beberapa
ratus volt.
Disipasi daya maksimum (PD
atau PC (max)), yang didefinisikan sebagai produk dari arus kolektor dan
kolektor-emitor tegangan, membatasi operasi untuk suatu daerah pada
karakteristik output yang dibatasi oleh sebuah hiperbola (Gambar 1,9). Pc(max)
biasanya dikutip untuk suhu sampai 25 ° C. Di atas suhu ini disipasi diijinkan
dikurangi dengan angka (dalam mW / ° C) yang tergantung pada sifat termal dari
paket perangkat.
SIRKUIT TERPADU
Sebuah sirkuit terpadu
terpadu, atau monolitik, sirkuit adalah sebuah chip kecil silikon (biasanya
antara 1 mm dan 5 mm persegi dan 0,25 mm) yang mengandung ratusan ribu komponen
dan mampu melakukan tugas-tugas mulai dari logika kombinasional sederhana atau
sangat kompleks untuk amplifikasi fungsi seperti yang diperlukan dalam
mikroprosesor.
Chips tidak diproduksi secara
individu tetapi diproses, banyak ribuan di waktu, di irisan silikon melingkar
(wafer), 50 sampai 150mm diameter. Ketika pengolahan dan pengujian wafer yang
lengkap, mereka dibagi menjadi chip individu sebelum pengemasan dan pengujian
akhir.
Proses planar
Kelayakan membuat sirkuit
terintegrasi sepenuhnya karena proses planar yang, seperti namanya, melibatkan
pengolahan hanya pada satu sisi silicon wafer. Ini terdiri dari tiga operasi dasar-oksidasi,
difusi dan metalisasi.
Oksidasi Permukaan silikon
bisa dioksidasi pada suhu yang tinggi untuk membentuk lapisan tipis isolasi.
Menggunakan etsa fotografi melawan dan selektif teknik, jendela dibuat dalam
oksida mengekspos area yang diinginkan dari permukaan silikon.
Difusi Jika kotoran (biasanya
boron untuk tipe-p, fosfor untuk tipe-n) dalam gas formulir melewati silikon
dipanaskan, berdifusi ke dalam silikon terpapar dengan seluruh permukaan
dilindungi oleh topeng oksida. Pengotor difusi terjadi baik secara vertikal dan
lateral membentuk persimpangan di bawah oksida pelindung. Masking
berturut-turut ditambah tipe-p dan tipe-n diffusions ke silicon menghasilkan
dioda vertikal dan struktur
BJT.
Metallization Ketika semua
diffusions secara lengkap dan struktur perangkat memiliki terbentuk, mereka
terhubung dalam konfigurasi sirkuit dengan melapisi permukaan dengan film tipis
aluminium dan kemudian etsa jauh (seperti dalam fabrikasi sirkuit, tetapi pada
skala mikroskopis) semua kecuali pola interkoneksi.
Menggunakan proses planar,
adalah mungkin untuk membuat berbagai jenis elektronik
komponen seperti dioda, BJTs,
efek medan transistor, resistor dan sangat rendah
nilai kapasitor.
Gambar 1.10 menggambarkan
struktur dari BJT, resistor dan kapasitor semua terisolasi satu sama lain.
Isolasi sangat penting dalam sirkuit terpadu untuk meminimalkan interaksi
antara komponen yang tidak diinginkan dan dicapai dalam berikut cara. Titik
awal biasanya adalah tipe-p doped silikon wafer atau substrat pada yang tumbuh
sebuah 'epitaxial' lapisan kristal tipe-n silikon. Sebuah hal yang dalam + difusi melalui lapisan tipe-n bergabung dengan
substrat membentuk tipe-n sumur yang terisolasi satu sama lain dengan terbalik
biasing persimpangan mereka dengan substrat (yang
Gambar. Bagian 1:10 (tidak
untuk skala) yang terintegrasi BJT terisolasi, resistor dan kapasitor
Posted by
simokonk
